 |
| (사진=연합뉴스) |
[알파경제=문선정 기자] 삼성 반도체에 대한 한미반도체 TC본더 장비 공급설은 사실이 아닌 것으로 알려졌다.
24일 알파경제 취재를 종합하면 삼성전자는 HBM4 생산에도 TC-NCF 방식의 TC본더를 사용하는 것으로 알려졌다.
해당 TC본더는 공정 특성상 칩 사이에 비전도성 필름(NCF)을 미리 끼워 넣어야 한다.
이에 반해 삼성 공급설이 돌고 있는 한미반도체의 듀얼 TC본더는 MR-MUF 연계로 일단 칩들을 쌓은 뒤 그 사이 공간에 액체 상태의 보호재(MUF)를 한꺼번에 주입해 굳힌다.
삼성 내부사정에 밝은 한 관계자는 "칩의 두께가 현저하게 얇아지면서 휨(Warpage) 현상 억제가 중요하고 층수가 높아질수록 구조적 안정성이 필요해 TC-NCF 방식을 채택하는 것으로 안다"면서 "삼성 반도체는 한미반도체 TC본더에 관심없다는 것이 더 알맞은 표현"이라고 말했다.
삼성 HBM4부터는 칩의 두께도 얇아지고 적층도 12층에서 16층 이상 높아지는 것으로 전해진다.
윤용필 한국외대 초빙교수는 "삼성전자가 HBM4에서 좋은 결과를 계속 내자 HBM3E에서 헤매던 세메스의 TC-NCF 방식을 버리고 MR-MUF로 바꾼 것 아니냐는 가정이 한미반도체 장비 공급설로 발전한 것 같다"면서 "HBM4에서 헤매고 있는 마이크론은 몰라도 삼성전자가 한미반도체 장비를 도입하기는 어려운 상황"이라고 분석했다.
 |
| (사진=연합뉴스) |
증권업계에 따르면 한미반도체는 자사의 듀얼TC본더를 삼성전자에 200대, 미국 마이크론에 100대 공급하는 것 아니냐는 확인되지 않은 소식이 광범위하게 돌고 있다.
메릴린치는 지난 23일 보고서에서 "2024년 TCB 판매 믹스는 하이닉스 69%, 마이크론 23%에 집중돼 있었으나, 내년에는 하이닉스 28%, 마이크론 34%, 삼성전자 25%, 중국 업체 13%로 변화할 것"이라며 "삼성전자와 중국 반도체 업체 비중 확대가 성장 동력이 될 것"이라고 분석했다.
이어 메릴린치는 "하이닉스 용인 팹과 삼성전자 P5(5공장) 등 신규 팹 가동 효과가 2027~2028년 실적에 본격 반영될 것"이라며 "높은 마진 구조를 바탕으로 수익 성장이 보장될 것"이라고 평가했다.
취재진은 한미반도체에 여러차례 연락을 시도했으나, 답변을 받지 못했다.
알파경제 문선정 기자(press@alphabiz.co.kr)
