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| (사진= 연합뉴스) |
[알파경제=차혜영 기자] 젠슨 황 엔비디아의 최고경영자(CEO)가 'GTC 2024'에서 삼성전자 부스를 방문해 5세대 고대역폭메모리 'HBM3E' 12단 제품에 '승인'이라는 친필 사인을 남겼다.
앞서 젠슨 황은 전세계 미디어 간담회를 통해 삼성의 HBM을 테스트하고, 기대가 크다고 밝힌 바 있다.
황 CEO의 이 친필 사인은 삼성전자의 HBM에 대해 큰 기대를 하고 있음을 반영하는 행동으로 풀이된다.
엔비디아의 인공지능(AI) 가속기에 해당 제품이 탑재될 가능성을 높여준다는 해석이다.
한진만 삼성전자 부사장은 “젠슨 황, 만나지 못해 아쉽다. 우리 부스에 들러줘서 고맙다”며 자신의 SNS에 젠슨 황의 친필사인을 게재했다.
삼성전자의 HBM3E는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB의 최대 용량을 제공하는 혁신적인 제품으로 샘플을 고객사에 제공하기 시작했고 올해 상반기에 양산을 시작할 예정이다.
젠슨 황의 삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다는 발언과 한진만 삼성전자 부사장의 언급처럼 양사간 협력이 더욱 공고해질 것이란 관측이 힘을 얻고 있다.
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| (사진= 연합뉴스) |
이번 행사에 HBM3E 12단(36GB) 샘플을 선보인 SK하이닉스는 이달 말부터 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대 HBM3E(8단·24GB) D램을 엔비디아에 납품할 예정으로 알려졌다.
삼성전자 관계자는 알파경제에 "젠슨 황의 친필승인은 검증통과 완료는 아니지만 향후 좋은 협력관계를 가져갈 것 이라는 긍정적인 메시지다"라고 밝혔다.
알파경제 차혜영 기자(kay33@alphabiz.co.kr)
